设备型号

URE-2000S型

设备功能

光刻机主要应用于MEMS工艺生产线，IC工艺生产线，是微电子领域加工工艺技术的核心仪器。光刻机的主要功能是通过紫外曝光的过程使的紫外胶变性、易处理来实现对掩膜版的图像进行转移，最终制备所需要的微结构图像，光刻机的性能直接决定着MEMS、IC工艺技术的水平。

技术指标

有效曝光面积：120mm×120mm；

照明均匀性：±2.6%；

最大胶厚（SU8）：600μm；

侧壁陡度：86°；

对准精度：±0.25μm；

双面套刻精度：5～8μm；

光刻分辨力优于：1μm；

样片最大厚度：8mm。

设备型号

QPrep400

设备功能

主要用于给样片表面溅射金属、非金属等薄膜材料，溅射薄膜的厚度从纳米级到毫米级，溅射靶材多种多样，可适用于各种材料的薄膜生长，可用于开发纳米级的单层/多层功能膜及各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜的外延生长；具有独特的纳米颗粒生长技术，可以直接实现纳米颗粒的生长和自组装工艺的研究。

技术指标

纳米颗粒生长颗粒尺寸1-20nm、偏差小于2%；

靶材尺寸：2inch；

真空度：1.6×10-7 torr；

转速为20-80rpm；

样品台可加热到700℃；

磁控溅射直流电源：600V，1.2A直流源；

交流电源：300w的射频源；

质量流量计：0-100sccm；

膜厚计分辨率：1nm；

质谱过滤器质量范围10-106amu，分辨率±2%。

设备型号

JTRC-550

设备功能

主要用于给样片表面溅射金属、非金属等薄膜材料，溅射薄膜的厚度从纳米级到毫米级，溅射靶材多种多样，可适用于各种材料的薄膜生长。可用于开发纳米级的单层/多层功能膜及各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜的外延生长。

技术指标

真空度：5.0×10-3Pa；

靶材尺寸：3 inch；

样品台可加热到300℃；

磁控溅射直流电源：0.4A直流源；

交流电源：30w的射频源；

质量流量计：0-100sccm。

设备型号

IoN Wave 10

设备功能

该仪器可实现去除光刻胶、湿法刻蚀前的晶圆清洁、去除SU-8、刻蚀钝化层、失效分析中的器件开封、化学微量分析中的低温材料灰化、过滤器和滤膜的清洁；还可以进行等离子体工艺（Plasma）加工、氧等离子体刻蚀加工。

技术指标

石英腔室最大可容纳8寸的晶圆；

机载诊断功能和报警记录；

工艺编辑软件提供了快速灵活的步骤控制功能；

功率源：微波功率源，最小功率120W；

通气孔：两个，可适用于Ar、O¬2、N2等MEMS工艺所需的特种气体。

设备型号

GSE 200

设备功能

主要用于100mm基片（可兼容50~200mm直径基片）半导体制造工艺中的硅刻蚀、介质刻蚀、以及III-V族材料等刻蚀工艺

技术指标

1. 腔室极限真空<1 .0x10-3mt，工艺控压范围2~80mt，工艺控压精度0.1mt，下电极温度范围10~80℃，下电极控温精度&plusmn;0.5℃，下电极控温均匀性&plusmn;1℃

2. 等离子体源可用功率范围50~1400W，偏压可用功率范围30~80W

3. 气路输送系统Ar，O2,CHF3，Cl2，CF4，SF6，BCl3，He

4. 分子泵抽速2200L/s，干泵600m&sup3;/h

5. 反应腔室壁和内衬温度控制：室温~60℃

6. 操作界面：中文界面、鼠标、键盘

设备型号

HQ100A-3DF

设备功能

氧化扩散炉系统具有三套水平独立的工艺炉管，做氢氧合成工艺（氢氧合成-湿氧）。能够方便高成品率的完成半导体工艺中的氧化、扩散和退火工艺。

技术指标

1． 炉体外径380mm，内径220mm

2． 工作温度200~1250℃

3． 恒温区长度800mm精度0.5℃

4． 升温时间（从室温到1250℃）不大于90min

5． 最大可控升温速度15℃/min，最大降温速度5℃/min

6． 采用悬臂架自动送片，速度为50-1000mm/min

7． 工艺气体：O2、N2、H2